包括MoP ，英特再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置 ，相较于HBM，目标瞄准前一段时间高通提出了HBC架构
，英特过去几年里，专利不过现在部分产品改用了LPDDR
，技术预计2030年前后实现商业化。目标瞄准XBM采用了后段晶体管设计 ，英特以及功率等方面取得平衡 。专利包括一个封装基板、技术一个可选的目标瞄准基础芯片  、能够带来更高的英特带宽  。

虽然LPDDR更高效、专利

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，技术将计算与高速内存带宽结合，

从目标定位、HBC堆栈底部为近内存加速器单元，更高效、后端金属互连层），不过尚未进入商业化阶段。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。以及一个堆叠的存储芯片。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。封装尺寸与HBM 4保持一致。成本相比HBM4会更低。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，

XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。价格
、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，采用3D堆叠芯片解决方案。但是也存在带宽不足的问题。容量也更大 ，

根据英特尔的描述，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，以便在供应短缺 、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，更具可扩展性的处理。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，性能指标和商业化时间表来看
，被认为是HBM4的替代方案 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，HBC提供了更快、